AO4714技术参数

AO4714是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的SRFET技术平台构建。该器件采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能的平衡。其内部集成了体二极管，为感性负载开关应用提供了必要的续流路径，增强了系统的可靠性。

从电气特性来看，该MOSFET的漏源电压（Vdss）额定值为30V，在25°C环境温度下可支持高达20A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至4.7毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）在10V Vgs条件下最大值为74nC，较低的栅极电荷有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关效率，这对于开关电源和电机驱动等应用至关重要。

器件的栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，与标准逻辑电平驱动兼容性好。尽管该产品目前已处于停产状态，但其参数组合在特定存量设计或替代选型中仍具参考价值。对于需要此类高性能MOSFET的工程师，可以通过正规的AOS代理渠道咨询库存或功能升级替代方案。

综合其30V的耐压、20A的电流能力、毫欧级的导通电阻以及优化的开关特性，AO4714非常适用于对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器同步整流、电机驱动、负载开关等场景。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境。紧凑的SOIC-8封装也使其易于在空间受限的PCB布局中实现高功率密度设计。

• 型号:AO4714
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4512 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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