AON7702B技术参数

AON7702B是一款采用先进SRFET技术平台的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，内部集成了优化的单元结构和先进的沟槽工艺，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著减少了传导损耗和开关损耗。其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适合低压、高电流的功率转换场景。

该MOSFET在25°C环境温度（Ta）下可提供13.5A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，这一数值可提升至20A，展现了其强大的电流处理能力。其关键性能指标体现在极低的导通电阻上，在10V驱动电压（Vgs）和13.5A电流条件下，Rds(On)最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极驱动特性优异，最大栅极电荷（Qg）在10V时仅为24nC，配合2.5V（最大值）的低阈值电压，意味着它能够被快速驱动，非常适合高频开关应用，并有助于简化栅极驱动电路的设计。

在接口与可靠性方面，该器件集成了体肖特基二极管，为感性负载提供了快速续流路径，增强了系统的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较宽的驱动安全裕度。功率耗散能力在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达23W，结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理商获取相关技术资料与采购信息。

基于其优异的电气性能和封装特性，AON7702B主要面向空间受限且对效率要求严苛的应用领域。它广泛应用于同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点降压转换器）、电机驱动控制以及各类电源管理模块中。其低导通电阻和快速开关特性使其成为提升系统整体能效、实现小型化设计的理想选择，尤其适用于计算设备、通信基础设施和便携式电子产品的电源子系统。

• 型号:AON7702B
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/20A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:810 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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