AO9926C技术参数

AO9926C是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽MOSFET技术的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8-SOIC封装，集成了两个独立的增强型N沟道MOSFET，其核心架构旨在通过优化单元密度和沟槽设计，在极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间实现卓越的平衡。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换和管理提供了坚实的基础。

该芯片的功能特点突出体现在其逻辑电平门驱动能力上。其最大栅源阈值电压（V_GS(th)）仅为1.1V，确保了其能够被3.3V或5V的现代微控制器和数字信号处理器（DSP）直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计。同时，在10V V_GS条件下，导通电阻典型值低至23毫欧，配合高达7.6A的连续漏极电流能力，使其能够处理可观的功率而温升可控。其栅极电荷（Q_g）最大值仅为12.5nC，结合630pF的输入电容，意味着极快的开关速度和极低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与关键参数方面，AO9926C的漏源击穿电压（V_DSS）为20V，适用于常见的12V或更低电压的电源总线。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的8-SOIC封装形式，宽度仅为3.90mm，为高密度PCB布局提供了便利。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理渠道进行采购与咨询。

基于其高性能与高集成度，AO9926C非常适用于空间受限且对效率要求苛刻的应用场景。典型应用包括负载开关、电源管理单元（PMU）、电机驱动中的H桥或半桥电路、DC-DC同步整流转换器以及电池保护电路等。在便携式设备、计算机外围设备、消费电子及工业控制系统中，它能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 制造商产品型号：AO9926C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.6A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 7.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.5nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 15V
• 功率-最大值：2W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO9926C现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。