AO4724技术参数

AO4724是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，属于其SRFET产品系列。该器件采用先进的平面工艺制造，在紧凑的8-SOIC封装内集成了一个高性能的MOSFET开关以及一个与之集成的体二极管（肖特基二极管）。其核心设计旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与优异的开关性能之间的平衡，在10V驱动电压下，导通电阻典型值可低至17.5毫欧（在10.5A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

在功能层面，AO4724展现出针对低压、大电流开关应用的优化特性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流逻辑电平控制器（如MCU、DSP）轻松兼容，简化了驱动电路设计。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。器件集成的体二极管提供了反向续流路径，增强了其在同步整流、电机控制等场景中的可靠性。用户可通过AOS总代理获取详细的技术支持与供应链服务。

从接口与关键参数来看，AO4724的漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达7.7A，能够满足多数12V或24V总线系统的需求。其输入电容（Ciss）在15V条件下最大为900pF，结合低Qg特性，有助于减少驱动电路的功率需求。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了良好的栅极保护余量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型（SMD）8-SOIC封装，功率耗散能力为1.7W（Ta），适合自动化贴装和高密度PCB布局。

基于其性能组合，AO4724非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、计算机主板和显卡的VRM（电压调节模块）、低压电机驱动与控制系统、以及各类便携式设备中的电源管理单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续替代型号或类似应用选型提供了有价值的参考基准。

• 型号:AO4724
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.7A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17.5 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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