AON6204技术参数

作为一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，AON6204采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在有限的PCB空间内集成了高性能的功率处理能力，其结构优化了热传导路径，有助于将芯片产生的热量高效地散发至系统散热器或PCB铜箔，从而在给定的工作条件下维持稳定的电气性能。

在电气特性方面，该MOSFET具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，能够满足多种中低压应用场景的耐压需求。其导通电阻表现突出，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(On)）仅为12毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件在4.5V的较低栅极电压下即可实现良好的导通特性，阈值电压Vgs(th)最大为2.4V，这使其与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器能够轻松兼容，简化了驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）最大值在10V时为10nC，输入电容（Ciss）最大值在15V时为670pF，这些较低的开关相关参数有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并降低对驱动电流的要求。

该器件的电流处理能力根据散热条件有所不同，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为14A，而在管壳温度（Tc）下则可高达24A，这为设计者提供了在不同散热条件下的应用灵活性。其最大功率耗散在管壳温度下可达31W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），确保了器件在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取相关的技术支持和产品信息。需要注意的是，此产品系列目前已处于停产状态，在新设计选型时应予以考虑。

基于其综合性能，AON6204非常适用于需要高效率功率转换和紧凑布局的场合。典型的应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关，特别是在分布式电源架构、服务器、网络通信设备以及便携式电子产品的电源管理模块中。其快速开关能力和低导通电阻也使其成为电机驱动、电池保护电路等对功耗和热管理有严格要求的系统中的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6204
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 14A/24A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：670pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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