AO4801技术参数

AO4801是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用8-SOIC封装的双P沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，旨在提供高效的功率开关解决方案。其核心设计侧重于在紧凑的封装内实现低导通损耗与快速开关性能的平衡，这对于空间受限且对效率有要求的应用至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下达5A，能够满足多种中低功率负载的开关需求。尤为关键的是，在10V栅源电压（Vgs）和5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至48毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为7nC @ 4.5V，输入电容（Ciss）也保持在较低水平，这有助于降低驱动损耗并实现快速的开关转换，减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面，AO4801采用标准的表面贴装8-SOIC封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.3V，与常见的逻辑电平驱动兼容性良好。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品资料、样品以及应用指导。其2W的最大功耗能力也为其在持续工作状态下的热管理提供了设计余量。

基于其双P沟道、低导通电阻和快速开关的特性，AO4801非常适合应用于需要高效功率路径管理的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等移动设备中的负载开关、电源分配单元（PDU），以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。此外，在电池管理系统、电机驱动控制电路和各类便携式电子设备的功率管理模块中，它也能发挥重要作用，为系统的小型化和能效提升提供可靠的半导体解决方案。

• 制造商产品型号：AO4801
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2P-CH 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 P 沟道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：645pF @ 15V
• 功率-最大值：2W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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