AOD200技术参数

AOD200是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，内部结构优化了单元密度和沟道迁移率，使得在紧凑的封装尺寸下，能够高效地控制功率流，减少传导损耗。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至7.8毫欧（@20A），这一特性显著降低了功率开关应用中的导通损耗。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达36A，展现了强大的电流承载能力，而栅极电荷（Qg）最大值仅为16nC（@10V），结合1300pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动兼容性。

AOD200的额定漏源电压（Vdss）为30V，适用于中低压应用环境。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与常见逻辑电平或模拟驱动电路的兼容性。在热性能方面，器件最大功耗在壳温（Tc）条件下为50W，结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，保证了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借其优异的电气与热性能组合，AOD200非常适合于需要高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其TO-252封装兼顾了散热性能与PCB占板面积，是空间受限且对热管理有要求的现代电子设备的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD200
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 14A/36A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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