AOT270L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下高性能功率MOSFET产品线的重要成员，AOT270L是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用成熟的平面工艺技术制造。其核心架构设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡，内部通过优化的单元结构和先进的封装技术，有效降低了寄生参数，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源击穿电压（Vdss）高达75V，确保了在多种中压应用中的可靠工作裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，典型值仅为2.6毫欧，这一极低的导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）典型值为215nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损耗，并简化了栅极驱动电路的设计。

在封装与热管理方面，AOT270L采用业界标准的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的安装工艺。其热性能参数十分优异，在壳温（Tc）条件下，最大连续漏极电流（Id）可达140A，最大功率耗散高达500W，这得益于封装内部高效的散热路径设计。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，赋予了产品在严苛环境下的稳定运行能力。对于需要本地技术支持与稳定供货的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取详细的技术资料与供应链支持。

凭借其优异的电气与热特性组合，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的开关元件、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑，以及不间断电源（UPS）和逆变器中的功率开关。其强大的电流处理能力和稳健的热设计，使其成为中大功率开关电源和电机驱动设计中值得信赖的功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOT270L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：75V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：21.5A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：215nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10350pF @ 37.5V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），500W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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