AOE6936技术参数

AOE6936是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能双N沟道MOSFET阵列。该器件采用先进的功率半导体工艺，在一个紧凑的8-VDFN封装内集成了两个非对称设计的N沟道MOSFET，旨在为高密度、高效率的功率转换应用提供优化的解决方案。其核心架构针对同步整流、负载开关和电机驱动等场景进行了专门优化，通过精心的芯片布局和封装设计，在实现低导通损耗和快速开关特性的同时，有效控制了寄生参数。

该芯片的一个显著特点是其优异的导通性能。两个MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动下分别低至5毫欧和2毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值分别为15nC和25nC（@4.5V），结合适中的输入电容，确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。器件支持高达30V的漏源电压（Vdss），并能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，展现了强大的鲁棒性。

在电气参数方面，AOE6936在25°C壳温下的连续漏极电流额定值分别为55A和85A，对应的最大功耗为24W和39W，提供了充足的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值分别为2.2V和2.1V，与标准逻辑电平兼容性好，便于驱动电路设计。表面贴装型的8-VDFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的热性能也有助于功率耗散。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，AOE6936非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。其主要应用场景包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流电路、电池保护与管理系统中的负载开关，以及无人机、电动工具中的电机驱动控制。其双通道非对称设计为半桥或不对称功率路径配置提供了高度集成的灵活选择，是工程师构建下一代高效能电源方案的理想功率开关器件。

• 制造商产品型号：AOE6936
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：55A (Tc)，85A (Tc)
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V，2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A，2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V，25nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 15V，2270pF @ 15V
• 功率-最大值：24W，39W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-VDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOE6936现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。