AO4403技术参数

AO4403是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)设计生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-SOIC表面贴装型封装内。该器件在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够在25°C环境温度下提供高达6A的连续漏极电流，其设计旨在实现低导通损耗与高效率的功率开关控制。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通电阻特性。在10V的栅源驱动电压（Vgs）和6.1A的漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为46毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.3V，结合2.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与多种低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器）良好兼容，简化了驱动电路的设计。其栅极电荷（Qg）在4.5V下最大值为11.3nC，较低的Qg值有助于减少开关过程中的损耗，提升高频开关性能。

在电气参数方面，AO4403的输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为1128pF，这是评估其开关速度的重要指标之一。器件允许的栅源电压（Vgs）最大值为±12V，提供了足够的驱动安全裕量。其最大功率耗散为3.1W（Ta），并且具备宽广的工作结温范围，从-55°C延伸至150°C，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取详细资料与支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻和良好的热性能，AO4403非常适用于需要高效电源管理和负载开关的场合。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电池保护电路、电机驱动控制模块以及各类低压大电流的电源分配单元。其表面贴装封装也符合现代电子产品小型化、高密度组装的发展趋势。

• 制造商产品型号：AO4403
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：46 毫欧 @ 6.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1128pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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