AO6400技术参数

AO6400是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的6-TSOP表面贴装封装，专为在有限空间内要求高效率与可靠性的应用而设计。其核心基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，通过优化的芯片设计与工艺，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，为电源管理电路提供了坚实的硬件基础。

在电气性能方面，AO6400展现出卓越的导通特性，其最大导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、6.9A漏极电流条件下仅为28毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.4V，配合2.5V（最小RdsOn）至10V（最大RdsOn）的推荐驱动电压范围，使其既能兼容低电压逻辑控制信号，也能在标准驱动电压下实现充分饱和导通。其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC @ 4.5V，结合1030pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现高频开关操作并简化驱动电路设计。

该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和6.9A的连续漏极电流（Id）能力，功率处理能力稳健。其栅源电压（Vgs）可承受±12V的最大值，提供了良好的抗电压尖峰能力。器件在环境温度（Ta）下的最大功率耗散为2W，结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取正品器件与技术支援。

凭借其综合性能，AO6400非常适用于空间受限的DC-DC转换器（特别是同步整流和负载点转换）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类需要高效功率开关的便携式设备、计算设备和消费电子产品中。其优异的效率与热性能组合，使其成为工程师在优化系统功耗与体积时的有力选择。

• 型号:AO6400
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-TSOP
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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