AOB416技术参数

AOB416是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件隶属于AOS的SDMOS产品系列，旨在为高效率功率转换应用提供稳健的解决方案。其核心架构基于先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，通过优化的单元设计和工艺制程，在导通电阻、栅极电荷和开关性能之间实现了出色的平衡，从而有效降低传导与开关损耗。

该器件具备多项关键电气特性，使其在严苛的功率管理任务中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为36毫欧，这直接转化为更低的通态损耗和更高的整体效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为24nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动功耗，有利于提升高频开关电源的性能。

在接口与热性能参数上，AOB416展现了强大的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的瞬态冲击，增强了驱动电路的抗干扰能力。器件的电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）可达45A；而在环境温度（Ta）下，该值为6.2A，这突显了良好散热设计对于发挥其最大性能的重要性。其最大功率耗散在壳温条件下高达150W，结合宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），确保了器件在高温环境下也能稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS授权代理获取相关的技术支持和采购信息。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，AOB416非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、不间断电源（UPS）系统以及工业级开关电源（SMPS）。其TO-263封装提供了优异的散热能力，便于通过PCB铜箔进行热管理，是许多中高功率密度设计的优选器件。

• 制造商产品型号：AOB416
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 6.2A/45A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.2A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：36 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB416现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。