AO8804_100技术参数

AO8804_100是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用表面贴装封装的N沟道MOSFET阵列。该器件采用8-TSSOP紧凑型封装，集成了两个独立的N沟道MOSFET，采用共漏极配置。这种架构设计特别适用于需要高密度布局和同步控制的应用，能够在有限的空间内提供双路开关功能，有效简化PCB布局并提升系统集成度。

作为一款逻辑电平驱动的MOSFET，其核心优势在于优异的导通性能。在10V栅源电压(Vgs)和8A漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至13毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，确保了其能够与常见的3.3V或5V微控制器逻辑电平直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计。栅极电荷(Qg)在4.5V条件下最大值为17.9nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，该器件漏源极额定电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V或更低电压的电源总线。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。输入电容(Ciss)在10V条件下最大值为1810pF，设计驱动电路时需将此参数纳入考量。用户可通过官方AOS代理获取完整的技术资料与设计支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

基于其双路、低导通电阻和逻辑电平驱动的特性，AO8804_100非常适合用于需要高效功率切换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流、负载开关、电机驱动中的H桥电路、电池保护电路以及便携式设备中的电源分配管理。其紧凑的封装形式使其在空间受限的消费电子、通信模块和工业控制设备中具有显著优势。

• 制造商产品型号：AO8804_100
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 20V
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N 沟道（双）共漏
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.9nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1810pF @ 10V
• 功率-最大值：1.5W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO8804_100现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。