AOB20C60L技术参数

AOB20C60L是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级应用中的高压应力，而优化的单元结构则有效控制了导通电阻（Rds(on)）和寄生电容，为高效率开关操作奠定了物理基础。

该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可提供高达20A的连续漏极电流（Id），展现出强大的电流处理能力。其关键电气特性包括：在10V栅极驱动电压（Vgs）和10A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为250毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为74nC，结合3440pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在封装与可靠性方面，AOB20C60L采用行业标准的TO-263（DPak）表面贴装封装，该封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产装配。器件在壳温条件下的最大功率耗散可达463W，工作结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术支持与供货信息。

凭借其高压、大电流和低导通电阻的特性，该器件非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）系统。其优异的性能组合使其成为工业控制、能源基础设施和高端消费类电源产品中功率开关部分的理想选择。

• 型号:AOB20C60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:463W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB20C60L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。