AON6978技术参数

AON6978 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）公司推出的一款采用双 N 通道 MOSFET 半桥配置的功率器件，属于其先进的 SRFET 产品系列。该芯片采用紧凑的 8-PowerVDFN 表面贴装封装，集成了两个逻辑电平门驱动的 N 沟道 MOSFET，构成一个高效的半桥拓扑结构，专为高密度、高效率的电源转换应用而设计。

其核心架构基于 AOS 优化的沟槽 MOSFET 技术，实现了优异的导通电阻与栅极电荷性能平衡。在 10V 栅极驱动电压下，每个通道的导通电阻（Rds(on)）典型值低至 5.7 毫欧（@20A），这直接降低了导通损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 25nC（@10V），结合逻辑电平门驱动特性（Vgs(th) 最大 2.2V），意味着它能够被低电压驱动电路（如 3.3V 或 5V 的 PWM 控制器）高效驱动，显著降低了开关损耗和驱动电路的复杂性，这对于高频开关应用至关重要。

该器件具备稳健的电气参数，漏源击穿电压（Vdss）为 30V，适用于常见的 12V 或 24V 总线系统。在 25°C 环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达 20A/28A，展现了强大的电流处理能力。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，通过官方授权的 AOS一级代理 进行采购是保障正品和获取专业服务的可靠途径。

在接口与参数方面，AON6978 的封装设计优化了热性能和电气性能，最大功耗分别为 3.6W 和 4.3W。较低的输入电容（Ciss 最大 1010pF @15V）进一步助力于实现快速开关。其典型的应用场景包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器（如降压、升压拓扑）、电机驱动 H 桥电路、负载开关以及各类需要高效半桥或双开关配置的电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其在当年所代表的高性能与高集成度解决方案，对于理解特定时期的中功率密度设计仍具有参考价值。

• 制造商产品型号：AON6978
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A，28A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1010pF @ 15V
• 功率-最大值：3.6W，4.3W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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