AOB14N50技术参数

AOB14N50是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-263（DPak）表面贴装封装中。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心架构旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡，通过优化的单元设计和制造工艺，确保了在高压工作条件下的可靠性与稳定性。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压母线环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值达到14A，配合低至380毫欧（在7A，10V条件下）的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动设计友好，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅极电荷（Qg）典型值仅为51nC（在10V条件下），这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在电气参数与接口方面，AOB14N50的栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，为驱动电路提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在25V条件下最大为2297pF，是评估开关动态特性的关键参数。器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散能力为278W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），赋予了其在恶劣热环境下的强大鲁棒性。TO-263封装提供了优异的散热能力，便于通过PCB铜箔进行热管理。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以联系AOS中国代理获取详细资料与支持。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关特性，AOB14N50非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。其主要应用领域包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）的功率级。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和系统可靠性，是工程师设计高性能、高可靠性功率系统的优选器件。

• 制造商产品型号：AOB14N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 14A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2297pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：278W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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