AON7403L技术参数

AON7403L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）封装，实现了高功率密度与优异散热性能的结合。其核心架构基于优化的单元设计，旨在显著降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而在开关应用中提升效率并减少开关损耗。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻在10V驱动电压（V_GS）和8A漏极电流条件下，典型值低至18毫欧，确保了在导通状态下极低的功率损耗。同时，最大栅极电荷仅为24nC（@10V），结合±25V的宽栅源电压耐受范围，使得驱动电路设计更为简便，并能实现快速开关，有效降低高频应用中的驱动损耗。器件在壳温（T_C）条件下可支持高达20A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。

在接口与参数方面，AON7403L的阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，标准逻辑电平即可有效驱动，增强了与主流控制器的兼容性。其输入电容（C_iss）典型值较低，有助于进一步优化开关速度。该器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并采用带裸露焊盘的DFN封装，热阻低，最大结到外壳的热阻（R_θJC）优异，使得在27W（T_C）的功率耗散下仍能保持可靠运行。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高电流能力的特性组合，这款MOSFET非常适合应用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的负载开关、电源路径管理和电池保护电路。此外，在低压DC-DC同步整流转换器、电机驱动控制以及各类需要P沟道器件作为高端开关的功率分配系统中，它也能发挥关键作用，有助于提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:AON7403L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8A/20A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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