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AOB1606L技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-263(DPak)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
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AOB1606L技术参数详情说明:

AOB1606L 是一款由 AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的平面 MOSFET 技术制造。该器件采用 TO-263(DPak)封装,这是一种经典的表面贴装功率封装,以其出色的热性能和机械强度而著称,能够实现高效的 PCB 布局和散热管理。其核心架构旨在优化功率密度与开关性能的平衡,通过精心的芯片设计和封装工艺,在紧凑的占位面积内实现了高电流处理能力和低导通损耗。

该 MOSFET 的突出特性在于其优异的电气参数组合。它具备 60V 的漏源击穿电压 (Vdss),适用于中压应用环境。其导通电阻 (Rds(On)) 在 10V 栅极驱动电压和 20A 漏极电流条件下,典型值低至 6 毫欧,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。在热性能方面,器件在壳温 (Tc) 条件下可支持高达 178A 的连续漏极电流,并拥有 417W 的最大功耗能力,展现了强大的功率处理与散热潜力。其栅极电荷 (Qg) 典型值为 102nC @ 10V,结合 4500pF 的输入电容 (Ciss),共同决定了其开关速度,为设计中的开关频率和驱动电路设计提供了关键依据。

在接口与参数方面,AOB1606L 的栅源电压 (Vgs) 最大额定值为 ±20V,提供了宽裕的驱动电压容限。其阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 3.7V @ 250A,确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。该器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 175°C,使其能够适应严苛的工业与汽车环境温度波动。对于需要可靠供应链支持的批量项目,可以通过官方授权的 AOS总代理 获取完整的技术支持与供货服务。

基于其性能参数,AOB1606L 非常适合应用于需要高效率和高可靠性的功率转换与开关场景。典型应用包括 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、不间断电源 (UPS) 系统以及工业自动化设备中的功率分配单元。其强大的电流能力和稳健的封装使其在服务器电源、电动工具和新能源车载辅助电源等对功率密度和热管理有较高要求的领域也能发挥重要作用。

  • 制造商产品型号:AOB1606L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta),178A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):102nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4500pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),417W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-263(DPak)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOB1606L现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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