AOT3N100技术参数

AOT3N100是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)设计生产的高压N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装内。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的良好平衡。该器件内部集成了一个快速恢复体二极管，为开关应用中的感性负载提供了可靠的续流路径，增强了系统的鲁棒性。

该器件的一个显著功能特点是其高达1000V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中的电压应力。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值为6欧姆，配合较低的栅极电荷（Qg，最大值20nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值830pF @ 25V），共同实现了高效的开关性能，有助于降低开关损耗并提升整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了与常见驱动电路的兼容性，同时±30V的最大栅源电压提供了宽裕的安全设计余量。

在接口与参数方面，AOT3N100在壳温（Tc）条件下支持高达2.8A的连续漏极电流，最大功率耗散能力为132W。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。可靠的TO-220封装不仅提供了良好的机械强度和散热能力，也便于在原型设计和批量生产中进行安装与测试。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的产品资料、样品及采购服务。

凭借其高压、中电流和快速开关的特性，AOT3N100非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动控制器、电子镇流器以及工业照明等领域的功率开关和转换电路。在这些应用中，它能够作为主开关管或辅助开关，有效管理能量流动，是实现高可靠性、高效率功率系统的关键元件之一。

• 制造商产品型号：AOT3N100
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：1000V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：830pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：132W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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