AO4484技术参数

AO4484是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-SOIC表面贴装外形中。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心设计旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的平衡，通过优化的单元结构和沟道设计，有效降低了传导损耗，提升了整体能效。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为40V，使其能够稳定工作在常见的12V、24V及以下电压的系统中。其在25°C环境温度下可连续通过高达10A的漏极电流（Id），展现出较强的负载驱动能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压（Vgs）和10A漏极电流条件下，典型值仅为10毫欧，这一低Rds(on)特性对于减少开关和导通状态下的功率损耗至关重要，尤其在高频或大电流应用中能显著降低温升。

器件的栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，简化了驱动电路设计。其最大栅极电荷（Qg）为37nC @ 10V，结合1950pF @ 20V的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度，有助于提升系统的工作频率并降低开关损耗。同时，其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极电压尖峰能力，增强了系统可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于各种严苛的环境。

凭借其40V/10A的耐压与电流规格、低至10毫欧的导通电阻以及快速的开关性能，AO4484非常适合用于需要高效功率切换和控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护板、负载开关以及各类电源管理模块。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关设计资源。

• 制造商产品型号：AO4484
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1950pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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