AONR21321技术参数

AONR21321是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装型封装内。该器件设计用于在30V的最大漏源电压（Vdss）下工作，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和12A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为16.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

该MOSFET具备出色的开关特性，其栅极电荷（Qg）在10V Vgs下最大值仅为34nC，结合1180pF（@15V）的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或专用驱动IC直接驱动，简化了电路设计。器件的驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的Vgs下即可获得优异的导通性能，同时栅极可承受高达±25V的电压，提供了良好的鲁棒性。

在电气参数方面，AONR21321在壳温（Tc）条件下可支持高达24A的连续漏极电流，其最大功耗在环境温度（Ta）下为4.1W，在壳温（Tc）下可达24W，展现了强大的功率处理能力。其工作结温范围宽广，为-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其低导通电阻、低栅极电荷和高电流能力的平衡设计，AONR21321非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、电机驱动电路中的预驱动或H桥下管，以及电池保护模块等。其DFN封装具有优异的热性能，有助于在紧凑的PCB布局中有效散热，是提升现代电子设备功率密度和可靠性的理想选择。

• 制造商产品型号：AONR21321
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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