AOB190A60L技术参数

AOB190A60L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于TO-263（D2Pak）表面贴装封装中，专为要求高效率和高可靠性的高压开关应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，在确保高阻断电压能力的同时，有效平衡了导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数，实现了优异的性能折衷。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，为高压环境下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、7.6A测试条件下典型值仅为190毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC，结合1935pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，特别适合高频开关应用，有助于减小磁性元件尺寸并优化电磁兼容性（EMC）表现。

在接口与参数方面，AOB190A60L支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.6V，具备良好的噪声抑制能力。器件最大功耗可达208W（基于壳温），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛热环境下的鲁棒性。TO-263封装提供了优异的散热性能和便于自动化生产的表面贴装兼容性。对于需要本地化技术支持和供应链服务的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取产品详情、设计支持与供货保障。

凭借其高压、大电流、低损耗和快速开关的特性组合，AOB190A60L非常适合应用于工业电源、服务器/通信电源的功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）等场景。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和系统可靠性，是工程师设计下一代高效能电力电子系统的优选功率开关器件。

• 制造商产品型号：AOB190A60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 7.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1935pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（D2Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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