AOB2618L技术参数

AOB2618L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-263（DPak）表面贴装封装内。其核心架构旨在实现高功率密度下的高效开关与低导通损耗，内部采用优化的单元设计，有效平衡了导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数，为电源转换和电机驱动应用提供了坚实的硬件基础。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，提供了宽裕的电压设计余量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至19毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关速度快且所需的栅极驱动功率较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与电气参数方面，AOB2618L的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达23A，在环境温度（Ta）下为7A，最大功耗在Tc条件下为41.5W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，属于标准逻辑电平兼容范围，而栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了良好的栅极保护。这些参数共同定义了一个性能均衡、易于使用的功率开关解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品资料与供应链服务。

凭借其综合性能，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括但不限于DC-DC转换器（如同步整流、降压或升压拓扑）、电机驱动控制（如电动工具、风扇）、电池保护电路以及各类工业电源中的功率开关部分。其TO-263封装具有良好的热性能，便于通过散热器进行热管理，是中等功率等级应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AOB2618L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Ta），23A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：950pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），41.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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