AOTF256L技术参数

AOTF256L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准TO-220-3F通孔封装中。该器件基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。其核心架构通过精细的工艺控制，确保了在150V的漏源电压（Vdss）额定值下，具备稳定的阻断能力和快速的开关特性，为功率转换应用提供了可靠的半导体开关解决方案。

在电气性能方面，AOTF256L展现出优异的导通特性，其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）、10A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为85毫欧。这一低导通电阻直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件支持宽范围的栅极驱动电压，最大值为±20V，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.8V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。

该MOSFET提供了灵活的电流承载能力，在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流为3A，而在管壳温度（Tc）下则可高达12A，其功率耗散能力在Tc条件下最大为33W。这种设计使其既能应对持续的稳态电流，也能处理短时的高脉冲电流。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取正品器件及相关设计资源。

凭借150V的耐压、低导通电阻和快速开关能力，AOTF256L非常适用于中等功率的AC-DC开关电源（SMPS）中的初级侧开关、DC-DC转换器、电机驱动控制以及各类需要高效功率开关的场合。其标准的TO-220-3F封装便于在散热器上安装，有利于热管理，是实现紧凑、高效功率系统设计的理想选择之一。

• 型号:AOTF256L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 3A/12A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1165 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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