AOB27S60L技术参数

AOB27S60L是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的aMOS产品系列。该器件采用先进的沟槽栅MOSFET架构，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。其核心设计优化了单元密度与栅极电荷，使得在保持高击穿电压的同时，有效降低了导通电阻（Rds(On)），这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的关键电气特性使其在高压功率应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源或电机驱动等场合下的高可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为27A，配合最大仅160毫欧的导通电阻（在13.5A，10V条件下），能够显著降低导通状态下的功率损耗，减少发热。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅极总电荷（Qg）仅为26nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，提升开关频率潜力。

在接口与封装方面，AOB27S60L采用行业标准的TO-263（DPak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产装配。其工作结温范围宽广，为-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关技术支持。

基于其600V/27A的耐压与电流能力、优异的导通与开关特性，AOB27S60L非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、不间断电源（UPS）、工业电机驱动与变频器以及高频逆变器等。其性能参数使其成为替代传统高压MOSFET，以提升系统能效和功率密度的有力选择。

• 型号:AOB27S60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1294 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB27S60L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。