AOD4144_003技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS产品系列的一员，AOD4144_003是一款采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。其核心架构基于成熟的平面工艺，优化了单元密度与导通电阻的平衡，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中，这种封装在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的便利性。

该器件在电气性能上表现出色，其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适合低压应用环境。导通电阻（Rds(On)）是衡量MOSFET效率的关键参数，AOD4144_003在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大导通电阻仅为8毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和发热，提升了系统整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，配合最大28nC的栅极总电荷（Qg），意味着该器件易于驱动，开关速度快，有助于减少开关过程中的损耗。

在接口与热性能参数方面，该器件提供了灵活的驱动选择，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V。其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为13A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达55A，这突显了良好散热设计的重要性。其最大功率耗散在Tc条件下可达50W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方AOS一级代理进行采购是推荐的渠道。

综合其特性，AOD4144_003主要面向需要高效率、高电流处理能力的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及负载开关等应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其在同步整流、电源管理模块中能够有效降低能量损失，提升功率密度。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计或对特定批次有需求的维护项目中，它仍是一款经过市场验证的经典功率MOSFET解决方案。

• 制造商产品型号：AOD4144_003
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），55A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1430pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD4144_003现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。