AOB2904技术参数

AOB2904是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术制造。该器件采用TO-263（DPak）表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡，从而在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够高效处理高达120A（Tc）的连续漏极电流。这种架构使其在导通损耗和开关损耗方面均表现优异，特别适合在高频、高电流的功率转换应用中提升整体系统效率。

该MOSFET的关键特性在于其优化的动态参数。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动电路的负担，使得开关速度更快，开关过程中的能量损耗更低。同时，其稳健的体二极管特性和良好的热性能，确保了器件在严苛工作条件下的长期可靠性。对于需要稳定供应链的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购，是获得正品保障和技术支持的重要途径。

在接口与参数方面，AOB2904的额定电压和电流能力使其成为中高功率应用的理想选择。其表面贴装TO-263封装提供了优异的散热能力，便于在PCB上实现紧凑的布局和高功率密度设计。器件的电气参数经过精心优化，旨在最小化传导和开关损耗，这对于提升电源模块、电机驱动器的效率至关重要。

基于其技术规格，AOB2904非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关、工业电机驱动和逆变器、以及新能源领域如太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）中的功率开关。其高可靠性和高性能使其成为工程师在设计和升级高功率电子系统时的可靠选择。

• 型号:AOB2904
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB2904现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。