AON7784技术参数

AON7784是一款采用先进SRFET技术平台的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与优异的开关性能。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装，集成了优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达31A（环境温度）或50A（壳温）的连续漏极电流承载能力。这种架构显著降低了寄生参数，为实现高效率的功率转换奠定了物理基础。

该器件的关键电气特性使其在众多应用中表现出色。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下仅为3.5毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被降至极低水平。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为34nC（@10V），结合4600pF（@15V）的输入电容，共同确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并提升系统工作频率。

在接口与可靠性方面，AON7784支持高达±12V的栅源电压，提供了稳健的栅极保护裕量。其内部集成了体肖特基二极管，增强了器件在硬开关拓扑中的反向恢复特性。该MOSFET的功率耗散能力在壳温条件下可达83W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其优异的性能参数，AON7784非常适用于对效率和功率密度有高要求的直流-直流转换场景，例如服务器、电信设备的中间总线转换器、同步整流以及电机驱动控制电路。其表面贴装型封装也使其能很好地适应现代高密度PCB布局的需求，是紧凑型电源解决方案中的关键功率开关元件。

• 型号:AON7784
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 31A/50A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4600 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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