AON7403L_001技术参数

AON7403L_001是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计制造的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高密度PCB布局而优化，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效开关性能的平衡。其沟道设计经过优化，在提供高电流处理能力的同时，有效控制了器件的寄生参数，为电源管理应用中的负载开关、电源路径控制和电机驱动等关键功能提供了可靠的半导体解决方案。

该器件的一个突出特性是其优异的导通电阻性能，在10V驱动电压（Vgs）和8A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为18毫欧。这一低Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少热耗散。其栅极电荷（Qg）最大值在15V Vgs条件下为24nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化外围电路设计。此外，其漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。

在电气参数方面，AON7403L_001在环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）为11A，而在管壳温度（Tc）下可高达29A，这体现了其强大的电流处理能力和散热潜力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）的兼容性，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持最大±25V的栅源电压，提供了稳健的操作窗口和可靠性保障。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取更详细的产品信息与供应链服务。

基于其性能组合，该MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和便携式设备中的DC-DC转换和电池保护电路；服务器和通信设备中的负载点（POL）转换和热插拔控制；以及消费电子和工业控制系统中的电机驱动与功率分配单元。其表面贴装形式和DFN封装使其能够适应自动化贴片生产，满足现代电子产品制造的需求。

• 制造商产品型号：AON7403L_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 11A/29A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），29A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 15V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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