AOB2918L技术参数

AOB2918L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用TO-263（DPak）表面贴装封装，专为高功率密度和高效能应用而优化，其核心设计旨在提供优异的开关性能和导通特性，以满足严苛的工业与消费电子需求。

该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压耐受能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，典型值低至7毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为53nC @ 10V，结合3430pF @ 50V的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。

在电流处理能力方面，AOB2918L在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为13A，而在管壳温度（Tc）条件下可高达90A，展现了其强大的峰值电流承载潜力。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了安全的驱动裕量。器件的功率耗散能力在管壳温度（Tc）下最高可达267W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），确保了其在恶劣热环境下的可靠性与长寿命。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关服务。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，AOB2918L非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及各类工业电源模块。其TO-263封装提供了良好的散热性能，便于在紧凑的PCB布局中实现有效的热管理，是工程师在设计高可靠性、高效率功率系统时的优选器件之一。

• 型号:AOB2918L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3430 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），267W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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