AOB2918L技术参数

AOB2918L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用TO-263（DPak）表面贴装封装，专为高功率密度和高效能应用而优化，其核心设计旨在提供优异的开关性能和导通特性，以满足严苛的工业与消费电子需求。

该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压耐受能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，典型值低至7毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为53nC @ 10V，结合3430pF @ 50V的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。

在电流处理能力方面，AOB2918L在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为13A，而在管壳温度（Tc）条件下可高达90A，展现了其强大的峰值电流承载潜力。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了安全的驱动裕量。器件的功率耗散能力在管壳温度（Tc）下最高可达267W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），确保了其在恶劣热环境下的可靠性与长寿命。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关服务。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，AOB2918L非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及各类工业电源模块。其TO-263封装提供了良好的散热性能，便于在紧凑的PCB布局中实现有效的热管理，是工程师在设计高可靠性、高效率功率系统时的优选器件之一。

• 制造商产品型号：AOB2918L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3430pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），267W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB2918L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。