AONS32100技术参数

AONS32100是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，专为表面贴装应用设计，在提供卓越电气性能的同时，实现了出色的功率密度和热管理能力。

其核心架构基于优化的单元设计，实现了极低的导通电阻。在10V栅极驱动电压下，典型导通电阻（Rds(On)）低至0.73毫欧（@20A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为240nC（@10V），结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大1.6V），意味着该器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。

在电气参数方面，AONS32100的漏源电压（Vdss）额定为25V，能够满足多种低压大电流场景的需求。其电流承载能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为73A，而在管壳温度为25°C时，该值高达400A，展现了强大的峰值电流处理能力。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕度。该器件的功率耗散能力同样出色，在管壳温度（Tc）下最大可达250W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持和供货保障，可以联系AOS总代理。

凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，AONS32100非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、高密度电源模块、电机驱动控制以及各类负载开关。其优异的性能使其成为工程师在设计和优化现代高效能电源解决方案时的理想选择。

• 型号:AONS32100
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 73A/400A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):73A（Ta），400A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:0.73 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15200 pF @ 12.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AONS32100现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。