AOB292L技术参数

AOB292L 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道功率器件。该芯片采用 TO-263（DPak）表面贴装封装，专为高功率密度和高效能应用而设计，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在紧凑封装内的高电流处理能力。

该器件具备100V 的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在 Vgs=10V、Id=20A 的条件下典型值低至 4.1 毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 126nC @ 10V，结合较低的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，AOB292L 标称在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达 105A，展现了卓越的电流承载能力；其栅源电压（Vgs）最大耐受值为 ±20V，增强了驱动电路的可靠性。器件支持宽泛的结温（TJ）工作范围，从 -55°C 到 175°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。其高达 300W（Tc）的功率耗散能力，使其能够应对瞬时或持续的高功率场景。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取相关技术支持和产品信息。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，这款 MOSFET 非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括服务器和通信设备的 DC-DC 转换器、大电流电机驱动控制器、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源模块。其 TO-263 封装兼顾了优异的散热性能与自动化贴装生产的便利性，是工程师在高性能电源设计中值得考虑的功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOB292L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 105A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：126nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6775pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），300W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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