

AOKS40B65H1技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
- 技术参数:IGBT 650V 40A TO247
- 专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
- 您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

AOKS40B65H1技术参数详情说明:
AOKS40B65H1是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术,在单芯片上集成了快速恢复二极管,实现了优化的载流子寿命控制。这种架构在保持低导通压降的同时,显著降低了开关损耗,其集电极-发射极饱和电压Vce(on)在典型工作条件下仅为2.4V @ 15V, 40A,确保了高效率的能量转换。
该器件具备卓越的电气特性,其650V的集射极击穿电压提供了充足的电压裕量,适用于三相380V交流输入的应用环境。高达80A的连续集电极电流和120A的脉冲电流能力,赋予了其强大的功率处理与过载承受潜力。其开关特性经过精心优化,开启延迟时间仅为41ns,关断延迟为130ns,配合1.27mJ(开启)和460J(关断)的低开关能量,使得它在高频开关应用中能有效降低开关损耗,提升系统整体效率。此外,63nC的低栅极电荷降低了驱动电路的设计复杂性和功耗。
在接口与热管理方面,AOKS40B65H1采用标准的TO-247-3通孔封装,具有良好的机械强度和成熟的安装工艺。其最大功耗为300W,结合高达175°C的结温工作范围,为系统在恶劣环境下的稳定运行提供了保障。用户可通过AOS一级代理获取完整的技术支持与供应链服务。这些参数共同指向一个核心目标:在严苛的功率开关应用中实现高可靠性、高效率与高功率密度。
基于其性能组合,该器件非常适合应用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、光伏逆变器以及电焊机等中高功率领域。在这些场景中,其快速开关能力有助于实现更平滑的电机控制波形和更高的逆变器开关频率,从而减小无源元件体积,提升系统动态响应。其坚固的电气特性也使其成为要求高鲁棒性和长寿命的工业及能源基础设施应用的理想选择。
- 制造商产品型号:AOKS40B65H1
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:IGBT 650V 40A TO247
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:Alpha IGBT
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
- 电流-集电极脉冲(Icm):120A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
- 功率-最大值:300W
- 开关能量:1.27mJ(开),460J(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:63nC
- 25°C时Td(开/关)值:41ns/130ns
- 测试条件:400V、 40A、 7.5 欧姆、 15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-247-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOKS40B65H1现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。













