AOB296L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率MOSFET，AOB296L采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率转换。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的单元结构和沟道工艺，在保证高耐压的同时，显著降低了导通电阻与栅极电荷，从而有效提升了开关性能并减少了开关损耗。

在功能特性上，AOB296L展现出卓越的电气性能。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，能够满足多种中压应用场景的需求。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达9.5A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达70A的电流，这得益于其出色的热设计。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为9.7毫欧，这一低阻抗特性是实现高效率的关键，能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在52nC（@10V），配合3.4V（@250A）的阈值电压，确保了快速、干净的开关切换，有利于提升系统频率并简化驱动电路设计。

该器件采用标准的TO-263（DPak）表面贴装封装，具有良好的散热能力和机械强度，便于自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。最大功率耗散在管壳温度条件下可达107W，结合其低热阻特性，为高功率密度应用提供了保障。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取正品器件与技术支援。

凭借100V的耐压、低至毫欧级的导通电阻、快速的开关特性以及坚固的TO-263封装，AOB296L非常适用于要求高效率和高可靠性的功率管理场景。其典型应用包括开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及各类工业电源模块。无论是在通信设备、服务器电源，还是在新能源及汽车电子领域，该器件都能为系统设计师提供一个兼顾性能与成本的优质解决方案。

• 型号:AOB296L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），107W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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