AOB440技术参数

AOB440是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准TO-263（DPak）表面贴装外壳中。其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的出色平衡，内部架构优化了单元密度与沟道电阻，确保了在开关应用中具备快速响应和高效能表现。

该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达75A的连续漏极电流（Id）承载能力，使其能够应对严苛的功率环境。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A电流条件下，Rds(On)最大值仅为7.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在88nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，而±20V的最大栅源电压（Vgs）则提供了稳健的驱动容限。

在接口与参数方面，AOB440的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）在30V条件下最大为4560pF，是评估开关速度的重要参考。器件支持-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，并在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达150W，展现了出色的热性能和可靠性。TO-263封装提供了优良的散热路径，适合通过散热片进行热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高电流、低导通电阻和坚固的封装特性，此MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、大电流负载开关以及不间断电源（UPS）系统。尽管其零件状态已标注为停产，但其设计参数和性能表现对于理解同类功率器件的选型与替代，以及维护现有系统设计仍具有重要的参考价值。

• 型号:AOB440
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4560 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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