AOB440技术参数

AOB440是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准TO-263（DPak）表面贴装外壳中。其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的出色平衡，内部架构优化了单元密度与沟道电阻，确保了在开关应用中具备快速响应和高效能表现。

该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达75A的连续漏极电流（Id）承载能力，使其能够应对严苛的功率环境。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A电流条件下，Rds(On)最大值仅为7.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在88nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，而±20V的最大栅源电压（Vgs）则提供了稳健的驱动容限。

在接口与参数方面，AOB440的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）在30V条件下最大为4560pF，是评估开关速度的重要参考。器件支持-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，并在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达150W，展现了出色的热性能和可靠性。TO-263封装提供了优良的散热路径，适合通过散热片进行热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高电流、低导通电阻和坚固的封装特性，此MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、大电流负载开关以及不间断电源（UPS）系统。尽管其零件状态已标注为停产，但其设计参数和性能表现对于理解同类功率器件的选型与替代，以及维护现有系统设计仍具有重要的参考价值。

• 制造商产品型号：AOB440
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：75A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：88nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4560pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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