AOT5N100技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOT5N100 是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其设计旨在实现高耐压与可靠性的平衡。其核心在于优化的单元结构和工艺，确保了在高达1000V的漏源电压（Vdss）下，仍能维持稳定的电气性能和较低的导通损耗，为高压开关应用提供了一个坚固的基础平台。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.5A漏极电流条件下，典型值仅为4.2欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在23nC（@10V），结合1150pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，适用于频率较高的PWM控制场景。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统鲁棒性。

在接口与参数方面，AOT5N100 采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）为25°C时可达4A，最大功耗为195W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽广的工作温度适应性和强大的功率处理能力。这些参数共同定义了其在严苛环境下的稳定运行边界。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其1000V的高耐压、适中的电流能力以及优化的开关特性，该器件非常适合于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器、电机驱动逆变器以及工业照明（如HID灯电子镇流器）等应用场景。在这些领域中，它能够作为主开关管或同步整流管，有效管理高电压大电流的切换，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键组件之一。

• 制造商产品型号：AOT5N100
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：1000V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：195W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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