AOD2916技术参数

AOD2916是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通电阻的平衡。其100V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在开关应用中具备足够的电压裕量，而优化的单元结构则有效降低了通态损耗。

在电气特性方面，该器件表现出色。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为5.5A，而在管壳温度（Tc）条件下可达25A，这为处理脉冲或稳态电流提供了灵活性。其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅源驱动电压（Vgs）和10A漏极电流条件下，最大值仅为34毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其易于被主流逻辑电平或PWM控制器驱动，简化了驱动电路设计。

器件的动态特性同样经过优化。在10V Vgs条件下，最大栅极总电荷（Qg）仅为20nC，结合最大870pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了良好的抗干扰能力。该MOSFET的功率处理能力强劲，在Tc条件下最大耗散功率可达50W，并且其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于采购与技术支持，可通过官方AOS总代理获取详细信息。

综合其参数，AOD2916非常适合需要高效率、高可靠性的功率开关与转换场景。其典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电源管理模块以及各类需要中功率开关功能的电子设备。其TO-252封装在提供良好散热性能的同时，也兼顾了PCB空间利用率，是工业控制、消费电子及通信设备中功率电路设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD2916
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N CH 100V 5.5A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Ta），25A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：870pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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