AOD2922技术参数

AOD2922是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）公司推出的AlphaMOS系列N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的电气性能和热管理能力，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色平衡。在10V栅极驱动电压（Vgs）和5A漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为140毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷低至10nC（@10V），配合2.7V（@250A）的典型栅极阈值电压，意味着器件能够实现快速、高效的开关切换，显著降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。这种特性组合使其在效率和热性能方面表现卓越，最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达17W。

在电气参数方面，AOD2922具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为3.5A，在壳温（Tc）25°C下可达7A，展现了强大的电流处理能力。器件支持±20V的最大栅源电压，增强了栅极驱动的鲁棒性。此外，其输入电容（Ciss）最大值在50V漏源电压下为310pF，较低的电容值有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度。对于需要本地技术支持与供应的设计团队，可以通过AOS中国代理获取详细的技术资料和供应链支持。

基于其高耐压、低损耗和高开关频率的特性，该器件非常适合用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、LED照明驱动电源以及各类适配器和充电器中的功率开关。其TO-252封装兼具良好的散热性能和自动化贴装适应性，使其成为工业控制、消费电子和汽车辅助系统等领域中空间受限且对效率有高要求设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD2922
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 3.5A/7A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Ta），7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：140 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5W（Ta），17W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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