AON6998技术参数

AON6998是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能双N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，集成于紧凑的8-PowerWDFN封装中。该器件内部集成了两个非对称的N沟道MOSFET，其核心设计旨在优化功率转换效率和热性能，通过精密的芯片布局和封装工艺，实现了低寄生电感和优异的热阻特性，为高密度电源设计提供了可靠的半导体解决方案。

该芯片具备30V的漏源击穿电压（Vdss），两个通道在25°C下的连续漏极电流（Id）分别高达19A和26A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为5.2毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值为820pF @ 15V，这些低电荷参数确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗，提升高频应用的性能。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，AON6998采用表面贴装型封装，便于自动化生产。其非对称的双通道设计为灵活的电路配置提供了可能，例如可用于同步整流或半桥拓扑中的高边和低边开关。最大功耗为3.1W，结合DFN封装优良的散热能力，使其能在紧凑空间内处理可观的功率。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制电路、锂电池保护模块以及各类负载开关。它在同步降压转换器中作为同步整流管使用时，能显著提升整机效率，是现代高效、紧凑型电源设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6998
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A，26A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：820pF @ 15V
• 功率-最大值：3.1W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6998现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。