

AOW284技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-262
- 技术参数:MOSFET N-CH 80V 15A/105A TO262
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AOW284技术参数详情说明:
作为AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)AlphaMOS产品家族的重要成员,AOW284是一款采用先进MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术的N沟道功率器件。该芯片采用成熟的TO-262通孔封装,为工程师在功率转换和电机控制等应用中提供了高可靠性与易用性的平衡。其核心架构基于优化的单元设计,旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想结合,从而有效降低传导与开关损耗,提升系统整体效率。
该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达80V,为48V及以下总线电压系统提供了充足的电压裕量,增强了系统的鲁棒性。在导通特性方面,在10V驱动电压(Vgs)下,其导通电阻(Rds(on))典型值极低,最大值仅为4.3毫欧(@20A),这意味着在相同电流下产生的导通损耗更小,有助于减少发热并提升能效。同时,其栅极电荷(Qg)最大值控制在100nC(@10V),较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的负担,实现更快的开关速度,这对于高频开关应用至关重要。
在接口与热性能参数上,AOW284展现出强大的电流处理能力。在壳温(Tc)条件下,其连续漏极电流(Id)可达105A,而在环境温度(Ta)下为15A,这使其能够应对高浪涌电流场景。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V,提供了较宽的驱动安全范围。热管理是功率器件的关键,该器件在壳温下的最大功率耗散高达250W,结合TO-262封装良好的散热能力,确保了在高功率密度设计中的稳定运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)也使其能够适应严苛的工业环境。如需获取详细的技术支持与供货信息,可以联系AOS中国代理。
凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关以及出色的热性能,AOW284非常适合应用于对效率和可靠性要求较高的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、工业电源、电机驱动控制器(如电动工具、无人机电调)、以及各类需要高效功率开关的汽车电子子系统。其TO-262封装形式也使其成为传统通孔焊接工艺升级或替换的理想选择。
- 制造商产品型号:AOW284
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 80V 15A/105A TO262
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:AlphaMOS
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Ta),105A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.3 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):100nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5154pF @ 40V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1.9W(Ta),250W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-262
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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