AOD3N60技术参数

AOD3N60是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计生产的高压N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于TO-252 (D-Pak) 表面贴装器件中。其核心架构旨在实现高压环境下的高效开关与功率处理，内部通过优化的单元设计和工艺控制，在确保高击穿电压的同时，有效管理导通电阻与寄生电容之间的平衡，为开关电源等应用提供了可靠的基础。

该器件具备600V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够从容应对离线式反激、正激等拓扑结构中的高压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值为2.5A，结合仅3.5欧姆的最大导通电阻(Rds(on))（测试条件为1.25A，10V Vgs），意味着在导通期间能够实现较低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可获得优异的导通特性，且栅极电荷(Qg)最大值仅为12nC，配合370pF的输入电容(Ciss)，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，AOD3N60展现了宽泛的工作适应性。其栅源电压(Vgs)可承受±30V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制和抗误触发性能。器件在壳温条件下的最大功率耗散为56.8W，工作结温范围覆盖-50°C至150°C，使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理获取原厂正品和技术支持。

基于其高压、低导通电阻和快速开关的特性，AOD3N60非常适用于中小功率的AC-DC开关电源(SMPS)，如适配器、充电器、辅助电源以及LED照明驱动。其TO-252封装兼顾了功率处理能力和PCB空间利用率，是空间受限但要求高效率和高可靠性的离线式功率转换应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD3N60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：370pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：56.8W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD3N60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。