AOD403_003技术参数

AOD403_003是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，在紧凑的占板面积内实现了优异的电气性能与热管理能力，其核心设计旨在为负载开关、电源管理和电机控制等应用提供高效、可靠的功率开关解决方案。

该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见低压系统中拥有充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在20V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，最大值仅为6.2毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在61nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，从而实现快速、高效的开关动作。

在电流处理能力方面，AOD403_003在环境温度（Ta）25°C下可支持15A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，其连续电流能力高达70A，展现了其强大的峰值电流承载潜力。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，提供了良好的驱动鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值在250A漏极电流下为3.5V，使其与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器兼容良好，便于实现直接驱动或通过简单电平转换进行驱动。

该MOSFET支持宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），并具备出色的散热性能，在管壳温度（Tc）条件下的最大功率耗散可达90W。这使得它能够适应严苛的环境要求和高功率密度应用。其典型应用场景包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、电池供电设备的负载开关、电机驱动H桥电路以及各类需要高效功率控制的消费电子和工业设备。对于需要获取此型号样片或技术支持的工程师，可以通过官方授权的AOS代理商进行咨询与采购。

• 制造商产品型号：AOD403_003
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：61nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252（DPAK）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD403_003现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。