AOI4S60技术参数

AOI4S60是Alpha & Omega Semiconductor (AOS)公司推出的aMOS系列N沟道功率MOSFET产品。该器件采用成熟的平面MOSFET技术制造，其核心架构旨在实现高耐压与可靠性的平衡。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级应用中的高压应力，而优化的单元设计有助于在导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间取得良好折衷，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。

在功能特性方面，该器件在25°C壳温（Tc）下可提供高达4A的连续漏极电流（Id），并具备900毫欧（@10V Vgs, 2A Id）的低导通电阻，这直接有助于降低导通损耗。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较高的设计余量和抗干扰能力。此外，极低的栅极电荷（典型值6nC @10V）与输入电容（Ciss）显著降低了开关过程中的驱动损耗，有利于实现更高频率的开关操作，从而减小系统中磁性元件的体积。

该MOSFET封装于标准的TO-251A（IPAK）通孔封装中，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散可达56.8W（Tc）。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货与技术支持的设计项目，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是保障供应链稳定与获取原厂技术资料的有效途径。

综合其电气参数与封装特性，AOI4S60非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明镇流器等中低功率的高压开关场景。其稳健的性能为工程师在工业控制、家用电器和LED驱动等领域设计高效、紧凑的电源解决方案提供了可靠的基础元件选择。

• 型号:AOI4S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:263 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOI4S60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。