AOTS21311C技术参数

AOTS21311C是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件采用紧凑的6-TSOP表面贴装封装，其核心架构基于优化的沟槽栅极设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种设计在有限的封装尺寸内有效提升了电流处理能力和功率密度，使其成为空间受限应用的理想选择。

在电气特性方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下高达5.9A的连续漏极电流（Id）能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和5.9A电流条件下典型值仅为45毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。器件具有宽泛的栅极驱动电压范围，标准驱动电平为4.5V至10V，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，确保了与常见逻辑电平的兼容性，同时最大栅极电荷（Qg）低至26nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了可靠性与易用性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的应力，提供了良好的抗干扰能力。输入电容（Ciss）在15V Vds条件下最大值为720pF，结合低栅极电荷，共同保障了快速的开关瞬态响应。器件的最大功率耗散为2.5W（Ta），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于批量采购与技术支持，用户可以通过官方授权的AOS一级代理渠道获取保障。

基于其性能组合，AOTS21311C非常适合应用于需要高效功率切换与管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、电池供电设备的反向极性保护，以及电机驱动、LED照明等系统中的低压侧开关。其小尺寸和表面贴装特性也使其广泛应用于便携式消费电子、通信模块、工业控制板卡等对空间和能效有高要求的领域。

• 型号:AOTS21311C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5.9A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 5.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:720 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-TSOP
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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