AOD4504技术参数

AOD4504是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。其200V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够可靠地工作在高压开关环境中，同时，其栅极结构经过特别设计，以提供稳定的阈值电压和快速的开关特性。

在电气性能方面，该器件展现出显著的特点。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和3A漏极电流条件下，最大值仅为400毫欧，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。栅极电荷（Qg）最大值控制在115nC（@10V），结合328pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件对驱动电路的要求相对友好，能够实现较快的开关速度，同时减少开关损耗，这对于高频开关应用尤为重要。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为1.5A，在管壳温度（Tc）下可达6A，显示了其在不同散热条件下的电流承载能力。

该MOSFET的接口与封装形式也为其应用提供了便利。它采用标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，这种封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产焊接。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±20V的栅源电压，为驱动电路设计提供了灵活性。工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了器件在严苛环境下的可靠性。功率耗散能力在管壳温度（Tc）下最大可达42.5W，这要求在实际应用中配合适当的散热设计以充分发挥其性能。

基于其200V的耐压、适中的电流能力以及优化的开关特性，AOD4504非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧开关、DC-DC转换器、电机驱动控制电路以及照明镇流器等。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过官方AOS授权代理进行采购咨询，以获取正品保障和技术支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代型号或库存情况。

• 制造商产品型号：AOD4504
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 1.5A/6A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A（Ta），6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：115nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：328pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），42.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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