

AOD454A技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-252,(D-Pak)
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 20A TO252
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AOD454A技术参数详情说明:
AOD454A 是 AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。该器件采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装,在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力。其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗的平衡,通过精心的芯片布局和封装工艺,确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。
该MOSFET具备40V的漏源击穿电压(Vdss)和在壳温(Tc)条件下高达20A的连续漏极电流能力,为中等功率应用提供了坚实的保障。其导通电阻(Rds(On))在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下典型值仅为30毫欧,这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。器件支持标准逻辑电平驱动,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V,而4.5V至10V的驱动电压范围使其既能兼容3.3V/5V微控制器接口,也能在10V驱动下获得最优的导通性能。
在动态特性方面,AOD454A 展现了快速开关能力,其栅极总电荷(Qg)在10V条件下最大值仅为10.8nC,输入电容(Ciss)在20V条件下最大值为650pF,这些参数共同决定了较低的栅极驱动损耗和更快的开关速度,有利于提升高频开关电源的转换效率。器件的栅源电压可承受±20V,提供了较强的抗栅极噪声能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,最大功率耗散在壳温(Tc)条件下可达37W,表明其具备出色的热性能和鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过官方授权的AOS代理商获取原厂正品和技术支持。
基于上述技术特性,该器件非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类电源管理模块。其TO-252封装兼顾了散热性能与PCB空间利用率,是工业控制、消费电子、通信设备及汽车辅助系统中功率开关设计的理想选择。
- 制造商产品型号:AOD454A
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 20A TO252
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.8nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):650pF @ 20V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),37W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:TO-252,(D-Pak)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOD454A现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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