AOD413技术参数

AOD413是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装的P沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡。其沟道结构经过优化，在提供高达40V漏源电压（Vdss）额定值的同时，确保了在较宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该MOSFET的一个显著特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅源驱动电压（Vgs）和12A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为45毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在14.1nC（@10V），结合850pF（@20V）的典型输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而减少开关损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的栅极抗干扰能力。

在电气参数方面，AOD413在25°C环境温度下可连续通过24A的漏极电流，其最大功耗在环境温度（Ta）下为2.5W，在管壳温度（Tc）下可达50W，展现了强大的功率处理潜力。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V（@250A），标准的逻辑电平驱动兼容性使其易于被微控制器或通用逻辑电路直接或通过简单驱动器控制。结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，使其能够适应苛刻的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取产品技术与供货信息。

凭借40V的耐压、24A的高电流能力以及TO-252封装良好的散热和功率密度，这款器件非常适合用于需要高效率电源管理的场合。其典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电机驱动控制电路中的预驱动或H桥的下管、电池供电设备的电源路径管理，以及各类工业设备中的功率分配与开关功能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能与可靠性，在诸多现有系统中仍具有参考价值。

• 制造商产品型号：AOD413
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 40V 24A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 12A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.1nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：850pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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