AOTF6N90技术参数

AOTF6N90是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-220-3F通孔封装中。该器件设计用于处理高达900V的漏源电压（Vdss），在25°C壳温条件下可连续通过6A的漏极电流，其核心架构旨在为高压开关应用提供坚固可靠的性能基础。

该MOSFET的关键特性在于其优异的高压耐受能力与开关效率的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关转换，降低开关损耗，从而提升系统整体效率。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，AOTF6N90的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，这确保了良好的噪声免疫能力和抗误触发能力。其最大功耗为50W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整服务支持的重要途径。

凭借900V的高压阻断能力和TO-220-3F封装的便利散热特性，AOTF6N90非常适用于需要高效功率转换和管理的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等高压功率开关电路。其稳健的设计使其成为工程师在构建高可靠性、高效率功率系统时的优选功率开关器件。

• 制造商产品型号：AOTF6N90
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：900V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF6N90现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。