AON6284A技术参数

AON6284A是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅工艺，在8-DFN-EP（5x6）紧凑封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一核心指标直接关系到开关电源系统的效率与功率密度。其设计充分考虑了高频开关应用中对开关损耗和导通损耗的平衡需求，通过降低寄生电容和优化内部互连，有效提升了器件的动态性能。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达48A的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了宽裕的电压与电流裕量。其导通电阻特性尤为突出，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为6.5毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低。同时，其栅极驱动要求兼容主流控制器，最大栅源电压（Vgs）为±20V，在4.5V至10V的驱动电压范围内即可获得优异的导通特性，阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。

在开关特性方面，AON6284A在10V Vgs下的最大栅极总电荷（Qg）为52nC，结合2540pF @ 40V的最大输入电容（Ciss），共同构成了较低的开关损耗，尤其适合工作在高频条件下的DC-DC转换器。其封装采用表面贴装型8-DFN-EP，底部带有裸露焊盘（EP），极大地改善了散热路径，使得在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散达到56W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理渠道进行采购与咨询。

综合其电气参数与封装特性，该器件主要面向需要高效率和高功率密度的电源管理场景。典型应用包括服务器、通信设备的同步整流和DC-DC转换器中的开关元件，以及电机驱动、电池保护电路等。其优异的Rds(on)和开关特性使其成为提升系统整体效率、减小散热器尺寸和优化成本的关键元器件选择。

• 制造商产品型号：AON6284A
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：52nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2540pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：56W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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