AOT13N50技术参数

AOT13N50 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面硅工艺制造，封装于标准的 TO-220 通孔封装中。该器件构建于一个优化的单元结构之上，旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计通过精细的元胞布局和先进的沟道技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的坚固性和可靠性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该 MOSFET 具备多项突出的电气特性。其 500V 的漏源击穿电压 (Vdss) 使其能够从容应对工业级 AC-DC 电源中常见的整流后高压母线环境。在导通特性方面，当栅源驱动电压 (Vgs) 达到 10V 时，其在 6.5A 电流下的导通电阻 (Rds(on)) 典型值低至 510 毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其 栅极电荷 (Qg) 最大值仅为 37nC，结合 1633pF 的输入电容 (Ciss)，意味着器件具有较快的开关速度，有助于降低开关过程中的过渡损耗，提升系统整体效率。

在接口与参数方面，AOT13N50 定义了清晰的电气边界。其连续漏极电流 (Id) 在壳温 (Tc) 条件下额定为 13A，最大允许栅源电压为 ±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。阈值电压 Vgs(th) 最大值为 4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件的最大功率耗散能力高达 250W (Tc)，并支持 -55°C 至 150°C 的宽结温工作范围，体现了其强大的热性能和环境适应性。用户可通过正规的 AOS授权代理 获取完整的数据手册以进行精确的电路设计和热仿真。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，该器件非常适合于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源 (SMPS) 的功率因数校正 (PFC) 电路、DC-DC 转换器中的高压侧或低压侧开关、电机驱动控制器中的逆变桥臂，以及不同断电源 (UPS) 和工业照明中的电子镇流器。在这些场景中，它能够有效管理功率流，提升系统能效和功率密度。

• 制造商产品型号：AOT13N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 13A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：510 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1633pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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